特許
J-GLOBAL ID：200903090861025211
単結晶製造装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小松 秀岳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276105
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120485
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：
【要約】【課題】 単結晶引上装置の磁場装置を小型化し消費電力を少なくするとともに、高品質の半導体単結晶を得る。【解決手段】 ルツボ内に収容した半導体材料融液の対流の制御を、外周部から直流励磁した電磁石により形成された水平磁界によって行いつつ、ルツボから単結晶の引き上げを行う装置において、該電磁石が対向する一対の鞍型励磁コイルと一対の磁極片を有する直径方位励磁用磁場装置であり、かつ該2つの磁極片の結晶引上げ軸に平行な寸法(高さ)が半導体材料融液の初期高さの1/2以下または磁極間空胴部の直径の1/2以下で、100mm以上600mm以下であることを特徴とする単結晶製造装置。
請求項（抜粋）：
ルツボ内に収容した半導体材料融液の対流の制御を、外周部から直流励磁した電磁石により形成された水平磁界によって行いつつ、ルツボから単結晶の引き上げを行う装置において、該電磁石が対向する一対の鞍型励磁コイルと対向する一対の磁極片を有する直径方位励磁用磁場装置であり、かつ該2つの磁極片の結晶引上げ軸に平行な寸法(高さ)が半導体材料融液の初期高さの1/2以下または磁極間空胴部の直径の1/2以下または100mm以上600mm以下であることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, C30B 30/04
, H01L 21/208
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 G
, C30B 30/04
, H01L 21/208 P
