特許

J-GLOBAL ID：200903090869261461

単結晶引上装置

発明者： 西崎 克己 ,  越前谷 一彦 ,  金田 洋 ,  関 康之
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294779
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】原料の初期投入量を減らしたり、SiOが冷却ジャケットに堆積し単結晶が多結晶化したりすることなく、また、ウエハは積層欠陥が発生せず、かつ、酸化膜耐圧特性の良い単結晶を引き上げるため、1100°C〜800°Cの温度域の通過時間を短くする。また、800°C〜600°Cの温度域滞留時間は長くする。【構成】CZ法によるSi単結晶引上装置において、溶融シリコン表面より上方の単結晶の周囲を囲み上方から棒体で吊下された冷却ジャケット30と、冷却ジャケットの外周面及び下端面を覆う熱反射板と、冷却ジャケットの上方に単結晶を取囲んで配設され上方から供給されるArガスを冷却ジャケット内面に誘導すると共に単結晶から周囲への放熱を遮断するガスガイドチューブとを備えた。

請求項（抜粋）：

CZ法によるSi単結晶引上装置において、溶融シリコン表面直上の単結晶の周囲を囲み上方から棒体で吊下された冷却ジャケットと、該冷却ジャケットの外周面及び下端面を覆う熱反射板と、該冷却ジャケットの上方に単結晶を取囲んで配設され上方から供給されるArガスを該冷却ジャケット内面に誘導すると共に単結晶から周囲への放熱を遮断するガスガイドチューブとを備えたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208