特許

J-GLOBAL ID：200903090870287687

接点ゲート構造と方法

発明者： 丹生谷 貴行
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178107
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 整合マージンを減少させ、レイアウト面積を増大させる半導体装置の接点ゲート構造を提供する。【解決手段】 半導体装置2は、ソース/ドレイン領域42,44への接点に付随する接点ゲート構造を含む。各接点は、付随する接点ゲート構造とソース/ドレイン領域42,44との上にあるポリシリコン層を含む。ポリシリコン層は、装置2の設計と機能に応じて、異なるドープ域を含んでもよい。

請求項（抜粋）：

フィールド酸化物に隣接するソース/ドレイン領域への接点を形成する方法であって、少なくとも部分的に前記フィールド酸化物の上にある接点ゲートを形成する段階と、前記接点ゲートおよび前記ソース/ドレイン領域の上にポリシリコン層を形成する段階と、前記ポリシリコン層の上に導電層を形成する段階と、を含む、接点を形成する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/88 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 D