特許

J-GLOBAL ID：200903090877525788

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 茂稔 ,  奥村 敏之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237943
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体材料からなる半導体積層構造における選択エッチングが可能となり、これにより歩留よく製造でき、しかも特性のよいII-VI族化合物半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 活性層304の上側のp型ZnSSeクラッド層305上に、p型CdZnSエッチングストップ層306を介して、選択エッチングにより形成したリッジストライプ部300bを配置し、該リッジストライプ部300bを、該エッチングストップ層上に形成されたp型MgZnSSeクラッド層307を含む構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に直接あるいは他の半導体層を介して形成され、Cd<SB>X</SB>Zn<SB>1-X</SB>S(0<X<1)からなるエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の表面上に形成され、ZnSe、ZnS<SB>Y</SB>Se<SB>1-Y</SB>(0<Y<1)、及びMg<SB>U</SB>Zn<SB>1-U</SB>S<SB>V</SB>Se<SB>1-V</SB>(0<U,V<1)のうちの所要のものを構成材料とする単数あるいは複数の半導体層とを備えた化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/306 B