特許
J-GLOBAL ID：200903090885702800
電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260521
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076256
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 金属ベース板と絶縁基板とを接合する半田における微細亀裂が成長し難く、小型、コンパクト化をり得る電力用半導体装置を提供する。【解決手段】 裏面に裏面パターン5を、表面に一対の回路パターン4を形成した絶縁基板2における裏面パターン5を金属ベース板1に半田付けし、一対の回路パターン4を、絶縁基板2の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びる中心対称のL字状に形成し、夫々IGBT6とFWD7とを相互にたすき掛け状に配設すると共に、これら2組のIGBT6およびFWD7を挟むように、絶縁基板2の平行する一対の辺に沿って夫々、補助電極板8を配設した。
請求項（抜粋）：
裏面に、金属ベース板上に接合材で接合される裏面パターンを、表面に一対の回路パターンを前記裏面パターン上に位置するように配設した絶縁基板を有し、前記回路パターンの夫々に、電力用スイッチング半導体素子と該電力用スイッチング半導体素子と対をなすフリーホイールダイオードとを配設すると共に電極パターン領域を設けた電力用半導体装置において、前記一対の回路パターンを前記絶縁基板の一対の対角より該対角で交わる両辺に沿って延びると共に中心対称のL字状に形成し、前記一対の回路パターン上に前記電力用スイッチング半導体素子を前記フリーホイールダイオードと前記電極パターン領域とで挟むように配設したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
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