特許

J-GLOBAL ID：200903090886739545

金属酸化物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ(MOSHFET)

発明者： エス・ヌール・モハンマド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295876
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224435
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 縦型金属酸化物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ(MOSHFET)およびその製作方法を提供すること。【構成】 MOSHFETは、N+シリコン層、N-シリコン層、P-Si1-xGex層、P-シリコン層、およびN-シリコン層を、次々に重ねて成長させて形成した層状ウェハ内にある。上の3層を貫通して溝をエッチングして、MOSHFETのヘテロ接合チャネルのアイランドを形成する。溝内に付着または成長させたゲートが、溝の底部にあるドレインから溝の上面近くの層中にあるソースまで垂直に延びる。

請求項（抜粋）：

ソースとドレインとゲートとを有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製造方法であって、(a)少くとも4つの半導体層を有する層状ウェハを成長させる段階と、(b)前記半導体層の少くとも上の3つを貫通して複数の第1の溝をエッチングする段階と、(c)前記半導体層の最上部に、前記第1の溝を埋める酸化物層を成長させる段階と、(d)前記酸化物層を貫通して複数の第2の溝を選択的にエッチングして、少くとも1つの前記第1の溝の側壁を露出させる段階と、(e)前記各露出側壁の一部分を不動態化する段階と、(f)前記各第2の溝を多結晶シリコン・プラグで埋め、前記層状ウェハをアニールする段階と、(g)少くとも1つのゲート溝を選択的にエッチングして、その中にゲートを形成する段階と、(h)前記ゲートと前記多結晶シリコン・プラグを抵抗的に接触させる段階と、を含む、金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 321 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-212469
  
• 特開昭61-285752
  
• 特開昭61-222171