特許

J-GLOBAL ID：200903090888902125

半導体パッケージ、半導体装置、電子装置及び半導体パッケージの製造方法

発明者： 稲葉 正俊 ,  鈴木 孝直 ,  大湊 忠則 ,  海津 雅洋 ,  黒坂 昭人
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000003804
公開番号（公開出願番号）：WO2000-077843
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2000年12月21日
要約：

【要約】Siウェハ(1)上に絶縁層(3)を形成し、この絶縁層(3)に開口部を形成した後、再配線層(2)を形成する。次に、再配線層(2)上に樹脂層(4)を形成する。そして、樹脂層(4)を硬化(キュア)させ、再配線層(2)とCu箔(5)とを樹脂層(4)により接着する。その後、樹脂層(4)にリング状の開口部(4a)を形成し、この開口部(4a)内にCuメッキ層(8)を形成する。

請求項（抜粋）：

電極(1a)が設けられたウェハ(1)上に形成された絶縁層(3)と、この絶縁層(3)を貫通し前記電極に一端が接続された再配線層(3)と、前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封化する封止樹脂層(4)と、この封止樹脂層(4)を構成する樹脂層にリング状の開口部を形成することにより区画されて前記再配線層(2)上に形成された柱状樹脂材と、この柱状樹脂材の周囲に形成されて前記柱状樹脂材を被覆すると共に前記封止樹脂層(4)を貫通し半田バンプと前記再配線層の他端とを導通させる導電層(8)と、を有することを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 L