半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191018
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 FET内の各ゲートフィンガーの飽和ドレイン電流値が均一であり、また、総ゲート幅の異なるFETを同一ウエハ内に同時に形成した場合でも同一ゲート幅当たりの飽和ドレイン電流値が均一な高周波特性の優れた半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半絶縁性GaAs基板5上にn-GaAs層(6)を形成する工程と、n-GaAs層(6)上にドレイン電極(2)およびソース電極(3)を形成する工程と、n-GaAs層(6)にマスクを介してリセス(7A)およびダミーリセスパターン(8a,8b)を形成する工程と、少なくともリセス(7A)内にゲート電極(1)を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた活性層と、該活性層上に形成された第1および第2の主電極と、上記活性層に均一な深さを持って形成されたレセスパターン内に上記第1および第2の主電極と交差指状に対向して設けられた制御電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 L

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