特許

J-GLOBAL ID：200903090892432168

金属酸化物薄膜回路形成用放射線硬化型ナフテン酸金属塩

発明者： 高谷 和樹
出願人/特許権者： 神東塗料株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098604
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291376
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【構成】 中性油分の含有量が5重量%以下のナフテン酸を用ることを、特徴とする金属酸化物薄膜回路形成用放射線硬化型ナフテン酸金属塩。【効果】 本発明のナフテン酸金属塩を用いることにより、高価で複雑な装置が不要で、しかも簡単な操作で優れた電気特性を有するサブミクロンオーダーの微細な金属酸化物薄膜回路を形成することができる。

請求項（抜粋）：

中性油分の含有量が5重量%以下のナフテン酸を用いることを特徴とする金属酸化物薄膜回路形成用放射線硬化型ナフテン酸金属塩。

IPC (8件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C09D 5/00 PNW ,  C09D 11/00 PTE ,  C09D195/00 PCX ,  G03F 7/004 531 ,  H01L 39/06 ZAA ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/10