特許

J-GLOBAL ID：200903090899457689

酸化チタン膜の堆積方法、および半導体レーザの製造方法

発明者： 宮永 良子 ,  木戸口 勲 ,  菅原 岳 ,  鈴木 政勝 ,  足立 秀人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181265
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015850
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 堆積速度が速く、吸収係数の低い金属酸化膜の製造方法を提供する。【解決手段】 金属チタンとECRプラズマを用い、堆積圧力を1×10-1Pa以下とし、堆積室内の酸素ガスの流量の全ガス流量に占める割合が1/10以上1/4以下とすることで、堆積速度が速く、吸収係数の小さい金属酸化膜を安定に製造できる。

請求項（抜粋）：

金属チタンとECRプラズマを用いて酸化チタン(TiO2)膜を形成する方法であって、堆積圧力が1×10-1Pa以下であることを特徴とする酸化チタン膜の堆積方法。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01S 3/18 618 ,  H01L 21/31

Fターム (20件)：

5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AE13 ,  5F045BB09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA64 ,  5F045DC51 ,  5F045EE12 ,  5F045EH17 ,  5F073AA83 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33