基板上にバッファ層を形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：田所淳 , 鈴木征四郎 , 中嶋伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-160909
公開番号（公開出願番号）：特開2008-081391
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。【解決手段】H2Oの前駆物質およびO3の前駆物質のいずれかと、DEZnの前駆物質とを供給し、400°C以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するZnO層12をサファイヤ基板、Si基板、SiC基板またはガラス基板からなる基板10の上に形成する。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を形成する方法であって、 H2Oの前駆物質およびO3の前駆物質のいずれかと、DEZnの前駆物質とを供給するステップと、 400°C以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するZnO層を前記基板上に形成するステップとからなることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , C23C 16/56 , H01L 21/365

FI (5件)：

C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/365

Fターム (44件)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA07 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FE19 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA47 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AC09 , 5F045AD08 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB13 , 5F045BB19 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA63

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許6,664,565

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