特許

J-GLOBAL ID：200903090913446385

配線基板

発明者： 南上 英博 ,  木村 哲也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101115
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289267
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】煩雑な製造工程が不要で、アルミナ質セラミックスから成る絶縁基体とメタライズ配線層を低温度、短時間で同時焼成でき、低コストで変形もなく、半導体素子がコンパクトに収容搭載でき、更に各種電子部品を密に搭載可能な多層配線基板や半導体素子収納用パッケージ等に好適な配線基板を得る。【解決手段】高融点金属のW、Moの一種以上を主成分とし、0.5〜10.0重量%のAl2 O3 と0.1〜3.0重量%のNb2 O5 、及び1200〜1600°Cの温度範囲で前記Al2 O3 と液相を生成するAl2 O3 、SiO2 、MgO、CaOの内の2種以上から成る化合物を0.01〜10.0重量%含有して成るメタライズ組成物でメタライズ配線層を形成する。

請求項（抜粋）：

アルミナ質セラミックスから成る絶縁基体に高融点金属のタングステン(W)、モリブデン(Mo)の一種以上を主成分とするメタライズ配線層を形成した配線基板であって、前記メタライズ配線層を形成するためのメタライズ組成物が0.5〜10.0重量%のアルミナ(Al2 O3 )と0.1〜3.0重量%の酸化ニオブ(Nb2 O5 )、及び1200〜1600°Cの温度範囲で前記アルミナ(Al2 O3 )と液相を生成するアルミナ(Al2 O3 )、シリカ(SiO2 )、マグネシア(MgO)、カルシア(CaO)の内の2種以上から成る化合物を0.01〜10.0重量%含有することを特徴とする配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/15 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/09

FI (5件)：

H01L 23/14 C ,  C04B 41/88 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/09 B ,  H05K 1/09 Z