特許
J-GLOBAL ID：200903090920775335
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020514
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222934
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】MIM構造のキャパシタのリーク電流の温度依存性を小さくし、更にその信頼性を向上させる。【解決手段】キャパシタの下部電極5、層間絶縁膜3に被着するようにバリア絶縁層6を原子層化学気相成長法で成膜し、バリア絶縁層6に高誘電率膜7を被着させ容量絶縁膜8を形成する。また、高誘電率膜上に更にバリア絶縁層を形成する。このようにして、容量絶縁膜8を被覆する上部電極9を設けMIM構造のキャパシタを製造する。ここで、バリア絶縁層6の膜中の電子の流れは、Fowler Nordheim(F-N)トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極、容量絶縁膜および上部電極を順次積層して形成したキャパシタを有し、前記下部電極と上部電極とは金属膜で構成され、前記容量絶縁膜は第1の誘電体膜と第2の誘電体膜の積層膜で構成され、前記第1の誘電体膜は前記下部電極あるいは上部電極と前記第2の誘電体膜との間に介在し、前記第1の誘電体膜中の電子の流れがFowler Nordheim(F-N)トンネル電流機構あるいは直接トンネル電流機構となることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 621 C
5F083AD24
, 5F083AD42
, 5F083GA06
, 5F083JA03
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA01
, 5F083PR21
