特許

J-GLOBAL ID：200903090921310476

ゲート駆動装置

発明者： 吉川 春樹
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038280
公開番号（公開出願番号）：特開平5-244763
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】GTO素子破壊時のゲート駆動装置破壊を防ぐ為、この素子のゲートをオフ駆動するオフ用トランジスタに並列にオフ用抵抗を付し、オフ駆動時はGTO素子のターンオフに必要な期間のみオフ用トランジスタをオンし、以後はオフ用抵抗を介しゲートを逆バイアスするようにした場合、素子オフ状態でそのアノード・カソード間に順方向のサージ(dV/dt)が加わったとき変位電流により素子ゲートが順バイアスされて誤点弧する事を防ぐ。【構成】オフ用抵抗8の電圧を電圧検出器9-1を介し検出し、GTO素子の変位電流によりこの検出電圧が設定値VSをを越えると比較器10-1の出力10aが“H”となり、AND回路14,OR回路11を経てオフトランジスタ6がオンされ、GTO素子1を確実に逆バイアスする。なおNOT回路13,AND回路14はオン用トランジスタ5のオン時の比較器出力10aをマスクする。

請求項（抜粋）：

自己消弧形電力用半導体素子のゲートをオン駆動する手段と、オフ駆動する手段とを備えたゲート駆動装置であって、前記オフ駆動手段は、オフ用の直流電源と、このオフ用直流電源を前記電力用半導体素子のゲート・カソード間に逆極性に印加するオフ用トランジスタと、このオフ用トランジスタに並列接続されたオフ用抵抗とを備えてなり、前記電力用半導体素子をオフ駆動する際は、該電力用半導体素子のターンオフに必要な期間のみ前記オフ用トランジスタをオンさせ、以後は前記オフ用抵抗を介して前記電力用半導体素子のゲート・カソード間に前記オフ用直流電源に基づく逆バイアス電圧を与えるゲート駆動装置において、前記オン駆動手段の不動作期間における前記電力用半導体素子の変位電流に基づく誤点弧を防止する手段を備えたことを特徴とするゲート駆動装置。