TFT基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199728
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006936
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】写真工程を減らして生産性を向上させるTFT基板を提供する。【解決手段】基板20上に形成された第1金属膜22とそれ上に形成された第2金属膜24よりなるゲート電極、基板20上に形成された第2金属膜24よりなるゲートパッド、基板20上にゲートパッドの第2金属膜24の一部を露出するように形成された絶縁膜26、ゲート電極上の絶縁膜26上に形成された半導体膜パターン28,30、半導体膜パターン28,30上に形成されたソース電極32aとドレイン電極32b、ドレイン電極32bとゲートパッドの第2金属膜24とをそれぞれ露出するコンタクトホールを持つように形成された保護膜パターン34、保護膜パターン34上に、ドレイン電極24と接触する第1画素電極パターン36及びゲートパッドの第2金属膜24と接触する第2画素電極パターン36aを備える。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1金属膜と前記第1金属膜上に形成された第2金属膜よりなるゲート電極と、前記基板上に形成された第2金属膜よりなるゲートパッドと、前記ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板上に、前記ゲートパッドの第2金属膜の一部を露出させるように形成された絶縁膜と、ゲート電極上の前記絶縁膜上に形成された半導体膜パターンと、前記半導体膜パターン上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールと前記ゲートパッドの第2金属膜を露出させるコンタクトホールを持つように形成された保護膜パターンと、前記保護膜パターン上に、前記ドレイン電極と接触する第1画素電極パターンと、前記ゲートパッドの第2金属膜と接触する第2画素電極パターンを備えることを特徴とするTFT基板。

IPC (7件)：

H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (8件)：

H01L29/78 612D , G02F1/1368 , H01L29/58 G , H01L21/90 A , H01L21/88 R , H01L29/78 627C , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M

Fターム (87件)：

2H092GA11 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092MA04 , 2H092MA13 , 2H092MA22 , 2H092MA24 , 2H092PA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD06 , 4M104DD17 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK08 , 5F033KK10 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033MM05 , 5F033MM17 , 5F033MM19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ26 , 5F033QQ27 , 5F033QQ33 , 5F033QQ37 , 5F033QQ72 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033VV15 , 5F033XX09 , 5F033XX16 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN72 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-348260 出願人：富士通株式会社
薄膜トランジスタパネルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130478 出願人：富士通株式会社
半導体装置と液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291277 出願人：株式会社日立製作所

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