特許
J-GLOBAL ID：200903090922774379
リソグラフィ用レーザ露光装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-015883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-029831
出願日： 1989年05月30日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 高集積密度の高い64MビットDRAMに対応するパターン線巾0.3μmというサブミクロン単位の描画露光が可能となるリソグラフィ用レーザ露光装置を提供する事を目的とする。【解決手段】 略190〜300nm範囲より選択された特定紫外線波長域のレーザを石英ガラス製光学系を介してウエハ上に投影露光させながら回路パターンを描画するリソグラフィ用レーザ露光装置において、前記光源にKrF(248nm),XeCl(308nm),若しくはArF(193nm)のエキシマレーザを用い、又前記光学系に、前記石英ガラス組織中にOH基濃度を100ppm以上存在させるとともに、該ガラス中の各金属元素濃度を少なくとも50ppb以下に設定した合成石英ガラスを用いてなる事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
略190〜300nm範囲より選択された特定紫外線波長域のレーザを石英ガラス製光学系を介してウエハ上に投影露光させながら回路パターンを描画するリソグラフィ用レーザ露光装置において、前記光源にKrF(248nm),XeCl(308nm),若しくはArF(193nm)のエキシマレーザを用い、又前記光学系に、前記石英ガラス組織中にOH基濃度を100ppm以上存在させるとともに、該ガラス中の各金属元素濃度を少なくとも50ppb以下に設定した合成石英ガラスを用いてなる事を特徴とするリソグラフィ用レーザ露光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
