特許

J-GLOBAL ID：200903090923682559

パターン形成方法

発明者： 田島 和浩 ,  池田 利喜夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138557
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008163
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【構成】 選択露光が施されたフォトレジスト塗膜が形成されたウェハ2に対して現像液供給用ノズル6から現像液を供給して該フォトレジスト塗膜を現像した後、常温の純水供給用ノズル7から常温の純水を供給して現像液を洗浄し、最終リンス液供給用ノズル8から界面活性剤を添加した純水、常温よりも高い温度に加熱された温純水、有機溶媒等、常温の純水よりも表面張力の低い液体のいずれかを供給してウェハ2上のリンス液の表面張力を低下させてから、スピン乾燥を行い、所望のレジスト・パターンを形成する。【効果】 レジスト・パターンに倒壊現象を発生させることなく、フォトレジスト塗膜を微細にパターニングできる。このため、エキシマレーザ・リソグラフィによる微細パターン形成の信頼性を大幅に向上させることが可能となり、半導体装置のさらなる高集積化を図ることも可能となる。

請求項（抜粋）：

選択露光が施されたフォトレジスト塗膜が形成されたウェハに対して現像液を供給し、該フォトレジスト塗膜を現像する現像工程と、常温の純水よりも表面張力の低い最終リンス液を少なくともリンスの最終段階で用いることにより前記現像液を除去するリンス工程と、前記ウェハを乾燥させる乾燥工程とを経て所望のレジスト・パターンを形成するパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/32 501

FI (2件)：

H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 569 E