特許

J-GLOBAL ID：200903090924566650

シリコン基板の多孔質化法

発明者： 大野 公隆 ,  赤木 与志郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267931
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 単結晶シリコン基板上に、微細な孔を有する多孔質シリコンを深さ方向に対して均一に、また深さ方向に対して制御良く形成する方法を提供する。【構成】 シリコン基板上に高エネルギーイオンを照射したあと、シリコン基板の表面層を陽極化成法を用いて、多孔質シリコン層に変成する。【効果】 得られた多孔質シリコン層は、材料の入射イオンビームによる照射欠陥を利用するので、イオンビームの種類、エネルギー及び注入量を制御することによって、所望の孔径の多孔質シリコンを形成することができる。更に孔径の深さ方向分布のない、極めて均一な多孔質シリコン層を得ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に高エネルギーのイオンを注入し、前記シリコン基板内の深さ方向に対して均一に欠陥を導入したあと、陽極化成法により前記シリコン基板の表面層に多孔質シリコン層を形成することを特徴とするシリコン基板の多孔質化法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-076535
  
• 化合物半導体結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218274   出願人：住友電気工業株式会社