特許
J-GLOBAL ID：200903090925739337
端面反射型表面波共振子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197347
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050538
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 反射面となる端面の位置、すなわちIDT電極の両端の電極指の幅を高精度に形成することができ、したがって性能のよい、かつ、不良品の発生率が低い端面反射型表面波共振子の製造方法を提供すること。【構成】 圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を構成するIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断機により切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共振子の製造方法において、前記IDT電極の電極指の幅をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、IDT電極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断する隣り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板上に個々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、切断機により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線のもう一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断して、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共振子の製造方法。
請求項（抜粋）：
圧電母基板上に、端面反射型表面波共振子を構成するIDT電極を複数個形成し、圧電母基板を切断機により切断し、個々の共振子を切り出す端面反射型表面波共振子の製造方法において、前記IDT電極の電極指の幅をWとし、切断機のブレードの厚みをTとし、IDT電極の両端の電極指の幅がW/2となるように切断する隣り合う切断線の間隔をLとした時に、圧電母基板上に個々のIDT電極を、L>Tとなるように形成し、切断機により、前記隣り合う切断線の一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断し、次に前記隣り合う切断線のもう一方の切断線に沿って前記圧電母基板を切断して、個々の共振子を切り出すことを特徴とする端面反射型表面波共振子の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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