特許
J-GLOBAL ID:200903090929834350

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-289597
公開番号(公開出願番号):特開平9-135035
出願日: 1995年11月08日
公開日(公表日): 1997年05月20日
要約:
【要約】【課題】 本発明に関わる半導体装置の製造方法は、主として太陽電池モジュールの取り出し電極と呼ばれるリード線の取付方法に関わり、太陽電池等の半導体のリード線と絶縁基板間の空隙に裏面封止樹脂が未充填の状態で残ることによる半導体装置の信頼性低下を解決することにある。【解決手段】 太陽電池等の半導体の取り出し電極部分としてのリード線6を、所定の間隔で予備半田付7を行い、その部分を半田付けしながら、該太陽電池等の半導体に取り付ける際に、そのリード線6と該絶縁基板との空隙を所定の高さに維持するためにスペーサー8を用いて半田付け作業を行う製造方法とすることにより、リード線と絶縁基板の間が一定の高さの空隙に維持されることとなり、その空隙に安定的に樹脂を充填させることが可能となる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に形成された半導体の取り出し電極部分としてのリード線を、所定の間隔で予備半田付を行い、その部分を半田付けしながら、該半導体に取り付ける際に、そのリード線と該半導体形成基板との空隙を所定の高さに維持するためにスペーサーを用いて半田付け作業を行う半導体装置の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る