特許
J-GLOBAL ID:200903090930247442

電流による磁化固定型スピンバルブセンサ、スピンバルブセンサのピン層磁化固定方法、磁気ディスク装置、及び読出し/書込みヘッドアセンブリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 明彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-067074
公開番号(公開出願番号):特開平11-316917
出願日: 1999年03月12日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】 反強磁性層を必要としないスピンバルブセンサを提供する。【解決手段】 電流による磁化固定型スピンバルブセンサ32は、第1の膜厚を有する軟質強磁性フリー層34と、第1の膜厚より薄い第2の膜厚を有する軟質強磁性ピン層38と、フリー層とピン層間に挟まれた銅層36と、フリー層、ピン層及び銅層に接続されて、ピン層を磁気飽和させるのに十分な強度の磁界を発生するバイアス電流を供給する電流源40とを有する。フリー層及びピン層の材料は、主にパーマロイ、コバルト、鉄-コバルト、及び軟質コバルト系強磁性合金からなる群から選択する。フリー層のMr・tは少なくとも0.3memu/cm2、ピン層のMr・tは最大0.28memu/cm2、フリー層とピン層とのMr・tの比は2〜10の範囲とする。センサを流れるバイアス電流は、4mA以上が好ましく、それによりピン層に接する反強磁性(AFM)層を必要とすることなく、ピン層の磁化を適当に固定する磁界が発生する。
請求項(抜粋):
第1の膜厚及び第1のMr・tを有する軟質強磁性フリー層と、前記第1の膜厚より薄い第2の膜厚、及び前記第1のMr・tより実質的に小さい第2のMr・tを有する軟質強磁性ピン層と、前記フリー層と前記ピン層との間に配置された銅層と、前記フリー層、前記ピン層及び前記銅層に接続されて、前記ピン層を飽和させるのに十分な強度の磁界を発生させるバイアス電流を供給する電流源とを有することを特徴とする電流による磁化固定型スピンバルブセンサ。

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