特許

J-GLOBAL ID：200903090933214545

プラズマ装置およびこれを用いたドライエツチング方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326739
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136096
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを用いずにシリコン系材料層の異方性エッチングを高精度に行う装置および方法を提供する。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のベルジャー4の内壁面にSiS2 等からなるS系材料層13を配し、このS系材料層13とECRプラズマPとの接触面積を昇降式シャッタ14の操作により調節できる構成とした。上記接触面積を大とするほど系内へのSの供給量が増大し、ウェハ8面上において側壁保護効果が増強される。この装置にたとえばSF6ガスを供給してポリサイド・ゲート電極加工を行う場合、WSix 層と多結晶シリコン層との界面、あるいはオーバーエッチング工程に入る前に上記接触面積を順次増大させれば、優れた異方性加工が可能となる。Sはウェハ8を加熱すれば昇華除去できる。

請求項（抜粋）：

処理チャンバの内部に生成させたプラズマを利用し、基板に対して所定の処理を施すプラズマ装置において、前記処理チャンバの内壁面の少なくとも一部を被覆するイオウ系材料層と、前記イオウ系材料層と前記プラズマとの接触面積を可変となし得るシャッタ部材とを備えてなることを特徴とするプラズマ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-241740
  
• 特開昭61-007632
  
• 特開昭60-198728