特許

J-GLOBAL ID：200903090939087146

磁気ヘッドの製造方法

発明者： 工藤 伸二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-016614
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 更なる狭トラック化への対応等が実現可能である磁気ヘッドを、容易に製造し得るようにする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子1と、その両側に配設される永久磁石膜2と、その永久磁石膜を覆うように配設される低抵抗化電極膜3とを備えてなる磁気ヘッドの製造するのに際し、二層レジスト膜または逆テーパレジスト膜の形成後、前記永久磁石膜2と前記低抵抗化電極膜3とをそれぞれ異なる直進性のスパッタリングにより成膜して、前記低抵抗化電極膜3のみを前記磁気抵抗効果素子1の両端部近傍にオーバーラップさせる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果素子の両側に隣接して配設される永久磁石膜と、当該永久磁石膜を覆うように配設される低抵抗化電極膜とを備えてなる磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁気抵抗効果素子を構成するための膜を二層レジスト膜または逆テーパレジスト膜で覆い、当該膜の前記二層レジスト膜または前記逆テーパレジスト膜で覆われた以外の部分をエッチングで除去し、当該エッチングによる除去部分に前記永久磁石膜をスパッタリングにより成膜し、さらに前記永久磁石膜の成膜時とは異なる直進性のスパッタリングにより前記低抵抗化電極膜を成膜して、前記磁気抵抗効果素子の両端部近傍に当該低抵抗化電極膜のみをオーバーラップさせることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。

IPC (7件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 D ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (20件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA01 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC02