特許
J-GLOBAL ID：200903090939757362
半導体集積回路における配線接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073239
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291192
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】接続部材を配線層の側面部と下面、または上面にも接触させ接続部材と配線層の接触面積を増大させ微細化かつコンタクト製造ばらつきに強くする。【構成】半導体基板の絶縁膜上の第1の配線層11と第2の配線層12の電気的接続がなされるためコンタクト領域の深さ方向で配線層11と12が重なるように開孔されたコンタクトホール13がある。このコンタクトホール13に埋め込まれた接続部材14が第2の配線層12の上部21、側部22、下部23において接触し第1の配線層11(の上面)と電気的に接続されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1の絶縁膜上に形成された第1、第2の配線層と、前記第1、第2の配線層の電気的な接続をするためのコンタクト領域と、前記コンタクト領域に存在し、前記第1あるいは第2の配線層に対し少なくとも膜厚分である側面部分とこの側面部分に連続した下面あるいは上面の部分に接触していることによって前記第1と第2の配線層を電気的に接続する接続部材とを具備したことを特徴とする半導体集積回路における配線接続構造。
引用特許：
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