特許

J-GLOBAL ID：200903090939866234

薄膜半導体素子およびその製造方法並びに製造装置

発明者： 松下 孟史 ,  ジョナサン ウエストウォータ ,  楠 美佐雄 ,  中越 美弥子 ,  山内 一志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190032
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 基板から薄膜半導体素子を容易に剥離して他の基板へ転写でき、かつ半導体素子形成中に剥離の問題が生ずることがなく、しかも大面積の薄膜半導体素子の製造にも好適な薄膜半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 冷却手段を用いて、シリコン基板100からエピタキシャル層120に形成された太陽電池およびプラスチック基板170を剥離させる。すなわち、液体窒素などの蒸気180Aによりシリコン基板100とプラスチック基板170とを冷却する。シリコン基板100とプラスチック基板170とでは冷却による収縮率が異なり、一般にプラスチック基板170の収縮率がシリコン基板100のそれよりも著しく大きくなっている。従って、液体窒素の蒸気180による冷却に伴いシリコン基板100は収縮するが、プラスチック基板170はシリコン基板100よりも更に大きく収縮する。この収縮率の相違により分離層111の中に大きなずれ応力が発生し、その結果、分離層111を介して太陽電池がシリコン基板100から剥離される。

請求項（抜粋）：

第1の基板側に薄膜半導体素子を形成した後、前記薄膜半導体素子の第1の基板側から第2の基板側への転写を行う薄膜半導体素子の製造方法において、第1の基板に多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層上に薄膜半導体素子を形成すると共に前記多孔質層内に分離層を形成する工程と、前記薄膜半導体素子上に第1の基板とは冷却による収縮率の異なる第2の基板を接着させた後、冷却手段を用いて冷却し前記多孔質層内の分離層の中にずれ応力を生じさせることにより分離層を介して第1の基板から薄膜半導体素子を剥離させる工程とを含むことを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 627 Z