特許
J-GLOBAL ID：200903090939922584
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150473
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326913
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 発光ダイオードが静電気によって破壊されることがあった。【解決手段】 発光ダイオードチップ2を光透過性樹脂封止体5で被覆する。樹脂封止体5の露出表面及び樹脂封止体5から導出されているリード3、4の一部を抵抗物質層17で被覆する。リード3、4間における抵抗物質層17の抵抗値を50kΩ〜50MΩにする。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、前記半導体チップに接続された少なくとも第1及び第2の端子と、前記半導体チップの絶縁性包囲体とを備え、前記第1及び第2の端子の少なくとも一部が前記包囲体の外側に配置されている半導体装置において、前記包囲体の外周面に前記包囲体の抵抗率よりも小さい抵抗率を有し、前記第1及び第2の端子の抵抗率よりも大きな抵抗率を有している抵抗物質層が設けられており、前記抵抗物質層が前記第1及び第2の端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 23/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 33/00 N
, H01L 23/00 B
, H01L 23/30 D
, H01L 23/30 E
