特許
J-GLOBAL ID：200903090942428582
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068617
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 分岐配線間の配線が垂直方向になって極端に短くなっても分岐配線による反射の影響でチャネル部分の信号波形が乱れず高速動作が実現できる積層された複数の半導体パッケージを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、積層された複数の薄型半導体パッケージ1と、パッケージ1に信号を供給する配線とを有している。前記配線は、入出力端子7間をパッケージ1の所定の外部接続端子21を経て電気的に積層方向に接続する主配線6と、パッケージ1の前記所定の外部接続端子2から半導体素子3を経てパッケージ1の他の外部接続端子2に電気的に接続するように配線された分岐配線5とから構成され、前記分岐配線は、この分岐配線部分のインピーダンス不整合による反射を防止するように、前記半導体パッケージの前記所定の外部接続端子から前記半導体素子に形成された接続電極までの配線部分とこの接続電極から前記他の外部接続端子までの配線部分とは実質的に等しい長さに配置さる。
請求項（抜粋）：
積層された複数の薄型半導体パッケージと、前記積層された複数の薄型半導体パッケージに信号を供給する配線とを具備し、前記半導体パッケージは、それぞれ対向する2つの側面近傍に形成された複数列の外部接続端子列を備え、前記配線は、半導体装置の入出力端子間を前記半導体パッケージの所定の外部接続端子を経て電気的に積層方向に接続する主配線と前記半導体パッケージの前記所定の外部接続端子から半導体素子を経て前記半導体素子の接続電極に電気的に接続するように配線された分岐配線とから構成され、前記分岐配線は、この分岐配線部分のインピーダンス不整合による反射を防止するように、前記半導体パッケージの前記所定の外部接続端子から前記半導体素子に形成された接続電極までの配線部分とこの接続電極から前記他の外部接続端子までの配線部分とが実質的に等しい長さに形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/52
H01L 25/08 Z
, H01L 23/12 L
, H01L 23/52 C
