特許

J-GLOBAL ID：200903090944476479

高圧半導体整流素子の製造方法

発明者： 上條 憲二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196725
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】PN接合を形成した半導体基板を積層したのち切断して得る柱状体の高圧半導体整流素子のうち、外周側面から切り出される形状不良品を目視によらないで簡単に選別する。【構成】積層体の外周側面に鉄粉入りの樹脂を塗布し硬化するか、鉄箔を接着しておくと、外周側面から切り出された不良品柱状体には鉄が付着しているので、磁力により容易に選別除去できる。これにより目視作業が不要となり、選別費用、選別手番が大幅に低減する。

請求項（抜粋）：

PN接合を形成した半導体基板の複数枚を一体に積層し、その積層体の外周側面を強磁性材料によって被覆したのち、積層方向に平行で互いに垂直な面で切断して柱状体に分割し、次いでその柱状体から強磁性材料の付着した柱状体を不良品として磁力を用いて選別する工程を含むことを特徴とする高圧半導体整流素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/91 ,  H01L 21/78

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-108240
  
• 特開昭53-005576