特許

J-GLOBAL ID：200903090951776739

磁気抵抗素子、磁気メモリ及び磁気センサー

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320108
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト酸化物を用いた磁気抵抗素子の動作可能温度を高める。【解決手段】 基体190上に、Mnを含むペロブスカイト酸化物から成る第1磁性層(LaSrMnO3等)110と、Ni、Fe及びCoのうち少なくとも1種の元素を含む強磁性層である第2磁性層(Co等)120が積層され、第2磁性層120のキュリー温度が第1磁性層110のキュリー温度よりも高い磁気抵抗素子、並びに、それを用いた磁気メモリ及び磁気センサー。

請求項（抜粋）：

基体上に第1磁性層と第2磁性層が積層されてなり、第1磁性層がMnを含むペロブスカイト酸化物から成り、第2磁性層がNi、Fe及びCoのうち少なくとも1種の元素を含む強磁性層であり、第2磁性層のキュリー温度が第1磁性層のキュリー温度よりも高いことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/26 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

Fターム (20件)：

2G017AB05 ,  2G017AC04 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034CA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14