安定した化合物を形成することによって不純物をゲッタリングする方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034677
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230999
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】リアクタ原子22をイオン注入によりシリコン基板10に導入して、金属不純物18と結合させ、安定化合物24を形成する。【構成】この安定化合物は、その後の処理工程において分解せず、金属不純物を放出しない。このような金属不純物は、シリコン基板の活性領域16,17に形成される半導体デバイスにとって望ましくない。硫黄などのリアクタ原子は、通常の半導体処理温度においてシリコン中で実質的に不動となるように選択される。鉄などの金属不純物は、実質的にゲッタリングされ、シリコン基板の活性領域16,17に形成される半導体デバイスの性能および信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：