半導体装置の製造方法およびこれに用いる半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216441
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064779
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】ダイシング負荷を軽減し、ダストを低減するためにサンプル・ウェハWの無効領域IIで被加工膜を除去する際の露光工程のスループットを改善し、また有効チップCV と無効チップCI との誤認を防止する。【解決手段】サンプル・ウェハW上にポジ型レジスト膜を形成し、ステッパを用いて回路パターン転写用のショット露光を実質的に有効領域I内のみで最小限の回数で行う。無効領域IIについては、ウェハと等倍のフラッド露光用フォトマスクMF を用い、有効領域Iを遮光した状態でフラッド露光を行う。無効領域IIでショット露光が行われない分、スループットが向上する。また無効領域IIではレジスト・パターンが形成されないので、続くドライエッチング工程ではその下の被加工膜が全面的に除去され、無効チップCI 内での回路パターン形成が皆無となる。

請求項（抜粋）：

ポジ型レジスト膜で被覆された基板上に露光フィールドを順次配置しながら回路パターンを転写する逐次露光を経て、該基板上に複数のデバイス・チップを配列形成する半導体装置の製造方法であって、完全な形状を有するデバイス・チップが切り出される有効領域をカバーし得る最小領域に露光フィールドを配置しながら前記逐次露光を行うと共に、不完全な形状を有するデバイス・チップが切り出される無効領域に対しては該有効領域を遮光するフォトマスクを用いた一括露光を行い、しかる後に現像処理を経て前記無効領域のポジ型レジスト膜をすべて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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