特許

J-GLOBAL ID：200903090959902750

薄膜太陽電池及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 肇 ,  森川 浩昭 ,  佐藤 和彦 ,  出口 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-056745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235391
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 グラファイトシートを基板として用い、簡単なプロセスで高性能,高信頼性,低コストの薄膜太陽電池を得る。【構成】 2枚のグラファイトシート基板1をその第1の主面が対向して重なった状態に密着させ、この密着状態で上記2枚の基板の各第2の主面上に活性層となる半導体薄膜を形成し、薄膜形成の後密着状態の基板を2枚の基板1に分離するようにした。【効果】 グラファイトと半導体の膨張率差によって生ずる応力が両面で相殺され、基板の湾曲を防止でき後工程を容易なものとできるとともに、単位時間あたりの生産数を2倍にでき生産性を向上できる。

請求項（抜粋）：

鱗状黒鉛を原料とし、その結晶構造または層構造が基板の面方向と厚さ方向に対し異方性を有するシート状のグラファイトからなる基板上に薄膜状の活性層を有する薄膜太陽電池の製造方法において、基板上に薄膜を形成する工程において、上記基板を高周波による直接加熱によって加熱することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/042

FI (2件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 R