特許

J-GLOBAL ID：200903090960633002

半導体装置及びその製造方法

発明者： 早崎 嘉城 ,  鈴村 正彦 ,  鈴木 裕二 ,  白井 良史 ,  岸田 貴司 ,  高野 仁路 ,  吉田 岳司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344777
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189983
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ドレイン領域に接続されたドレイン電極を、周囲のソース領域よりも外部に配線する場合において耐圧が低下することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ドレイン電極9は、n+型ドレイン領域4からn+型ソース領域6の方向に延設されており、ドレイン電極9の下部及びその近傍のドリフト領域のn型不純物濃度は、他のドリフト領域のn型不純物濃度よりも相対的に低く、かつ、p型ウェル領域5からn+型ドレイン領域4の方向に向かって一様に上昇するように形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と該半導体基板上に絶縁層を介して形成された第一導電型半導体層とから成るSOI基板と、前記第一導電型半導体層の表面に露出するように前記第一導電型半導体層内に形成された高濃度第一導電型ドレイン領域と、該高濃度第一導電型ドレイン領域と離間して囲むように前記第一導電型半導体層の表面に露出するように前記第一導電型半導体層内に形成された第二導電型ウェル領域と、該第二導電型ウェル領域に内包され、前記第一導電型半導体層の表面に露出するように前記第一導電型半導体層内に形成された高濃度第二導電型ソース領域と、前記高濃度第一導電型ドレイン領域と前記高濃度第一導電型ソース領域との間に介在する前記第二導電型ウェル領域上に絶縁膜を介して形成された絶縁ゲートと、前記高濃度第一導電型ドレイン領域と電気的に接続され、前記高濃度第一導電型ソース領域を跨いで引き出されるように形成されたドレイン電極と、前記高濃度第一導電型ソース領域と電気的に接続されるように形成されたソース電極と、前記絶縁ゲートと電気的に接続されるように形成されたゲート電極とを有して成る半導体装置において、前記ドレイン電極の下部及びその近傍の前記第一導電型半導体層内における前記第二導電型ウェル領域と前記高濃度第一導電型ドレイン領域との間の第一導電型不純物濃度が、前記第一導電型半導体層の他の箇所の第一導電型不純物濃度よりも相対的に低濃度であり、かつ、前記第二導電型ウェル領域から前記高濃度第一導電型ドレイン領域の方向に向かって一様に上昇して成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/266 ,  H01L 27/12

FI (8件)：

H01L 29/78 617 K ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 621