特許

J-GLOBAL ID：200903090967503791

半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-192542
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039261
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 本発明では、下層とのコンタクトを形成する開口部の直径が大きく(1μm以上)ともコンタクトホール起因の凹凸を緩和し、それが原因でなる不良を低減することを目的とする。【解決手段】 コンタクトホール内に導電性微粒子を充填させて配線を形成することを特徴とする。導電性微粒子は配線材料とぬれ性が高いものを用いることで、容易に導電性微粒子が配線材料中に分散し、コンタクトをとれるようになる。これにより、リフロー工程を行わずとも、コンタクトホールの平坦化が実現する。また、加えてリフローすることで、より平坦化が可能となり信頼性が向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜に下層とのコンタクトを形成する開口部を設け、 前記開口部に導電性の微粒子を充填し、 少なくとも前記絶縁膜上の前記導電性の微粒子を充填した開口部を含む位置に配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L21/768 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (7件)：

H01L21/90 A ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 K ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616K

Fターム (146件)：

2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092JA48 ,  2H092JB61 ,  2H092MA10 ,  2H092NA15 ,  2H092NA19 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA03 ,  5C094AA25 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK01 ,  5F033NN08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-177987   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 埋め込みプラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129447   出願人：ソニー株式会社
• 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-344925   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 微細窪みの充填方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269306   出願人：株式会社荏原製作所
• 電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084235   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所