半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189307
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】二枚のウエハの被処理面に厚さが等しいCVD膜を形成させる。【解決手段】横置ホットウオール形二枚葉式減圧CVD装置1の処理室3に設置された保持治具4に二枚のウエハを上下段に配置し、原料ガス38をウエハと平行方向に流して上段のウエハ31と下段のウエハ32に原料ガス38中の成膜種39のCVD膜65a、65bを形成する成膜工程において、上段のウエハ31のアクティブ・エリア側主面31aを下向きに、下段のウエハ32のアクティブ・エリア側主面32aを上向きに配して主面同士を互いに対向させる。【効果】原料ガスの成膜種が主面31a、32aに堆積する際、対向する主面31aと32a同士は成膜種の雰囲気を共用し、成膜種に対する堆積条件が等しいため、主面31a、32aに形成されたCVD膜の厚さは等しくなる。一回の成膜処理毎に同一のウエハを二枚ずつ製造できるため、生産性を向上できる。

請求項（抜粋）：

処理室内に互いに平行に配置された一対の被処理物と平行な方向に原料ガスが流されて前記一対の被処理物にCVD膜がそれぞれ形成される半導体装置の製造方法において、前記一対の被処理物の前記CVD膜の形成が必要な被処理面同士が互いに向かい合うように配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 21/316 X

Fターム (27件)：

4K030AA11 , 4K030BA42 , 4K030EA01 , 4K030KA14 , 4K030LA00 , 5F045AA06 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045BB03 , 5F045BB08 , 5F045DP11 , 5F045DQ10 , 5F045EC05 , 5F045EE19 , 5F045EM02 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BG04

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