特許

J-GLOBAL ID：200903090970214369

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-058323
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273514
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】キャリア移動度の高い有機半導体層の形成方法を提供し、それによる高性能な有機薄膜トランジスタの製造方法、該製造方法により製造された有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造方法であって、支持体上にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程、および支持体上に有機半導体材料を配置して有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程、を含むとともに、前記有機半導体の分子量が2000以下であり、かつ前記有機半導体層形成工程では、有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液の状態又は加熱により溶融した状態で、電界又は磁界を作用させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機薄膜トランジスタの製造方法であって、支持体上にソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程、および支持体上に有機半導体材料を配置して有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程、を含むとともに、前記有機半導体材料の分子量が2000以下であり、かつ前記有機半導体層形成工程では、有機半導体材料が塗布溶媒中に溶解した溶液の状態又は加熱により溶融した状態で、電界又は磁界を作用させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (28件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機電子デバイスとその製造方法とその動作方法、及びそれを用いた表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243056   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234113   出願人：シャープ株式会社