特許

J-GLOBAL ID：200903090971877795

スーパルミネッセントダイオード

発明者： 三津間 高志
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222770
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069537
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 熱特性の改善と、バック光量の増加を目的とする。【構成】 下部クラッド層12上に活性層22が形成され、活性層22上にこれより屈折率が小さい導波層23が形成され、導波層23上の一端中央部より他端の途中まで上部クラッド層24が延長形成され、クラッド層24の両側面及び背面と接して、導波層23上に屈折率が活性層より小さく導波層23より大きい高抵抗のブロック層25が形成される。活性層22で発光した光は、活性層22と導波層23とにとじこめられて導波される。その光はブロック層25への放射モードが存在するが、ブロック層25のバンドギャップが活性層22のそれより大きいためブロック層25で吸収されない。

請求項（抜粋）：

下部クラッド層と、その下部クラッド層上に形成されたプラナ型活性層と、その活性層上に形成され、その活性層よりも屈折率が小さい導波層と、その導波層上にその一端中央部より他端に達することなく、ストライプ状に延長形成され、上記導波路よりも屈折率が小さい上部クラッド層と、上記導波層上の上記上部クラッド層が形成されていない領域の全体に形成され、屈折率が上記活性層より小さく、上記導波層より大きいブロック層と、を具備するスーパルミネッセントダイオード。