特許
J-GLOBAL ID：200903090973015782
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284068
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112597
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの温度上昇に伴う裏面光の出力低下を、モニタフォトダイオードに入射する光密度を増加させることにより補償し、レーザ前面光の安定化を図る。【構成】 モニタフォトダイオード5の下部に熱膨張率の大きな台座8を設け、半導体レーザ1で発生した熱で上記台座8を膨張させることにより、半導体レーザ1とモニタフォトダイオード5の距離を縮小して、モニタフォトダイオード5に入射する裏面光4の光密度を増加させるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、該半導体レーザの裏面光をモニタするステムに設置されたフォトダイオードとを有し、該フォトダイオードに発生した電流値に基づき上記半導体レーザの光出力を制御する半導体レーザ装置において、上記フォトダイオードは、上記半導体レーザで発生した熱に応じて体積が変化する台座を介して搭載され、上記半導体レーザの温度上昇とともに上記フォトダイオードに入射する上記裏面光の光密度が増大されることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/58
, H01S 3/133
