特許
J-GLOBAL ID：200903090978644605
半導体基材のエッチング方法及びエッチング装置並びにそれを用いた半導体基材の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374026
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260793
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板等の表面平滑化、ボロン濃度の低減しつつ、所望のエッチング量のエッチングを行なう。【解決手段】 絶縁物上に形成された単結晶シリコン膜を表面に有する半導体基材1を、水素を含む還元性雰囲気中での熱処理によりエッチングする方法において、前記エッチング工程中は、前記単結晶シリコン膜を酸化シリコンと対向させて処理を行なうことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン表面を有する半導体基材をエッチングするエッチング方法において、酸化シリコンからなる平面に、前記半導体基材の前記シリコン表面を所定の間隔をおいて対向させた状態で、前記シリコン表面を水素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体基材のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 P
, H01L 27/12 B
