特許

J-GLOBAL ID：200903090978790350

半導体レーザ装置

発明者： 福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177192
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 長波長の半導体レーザ装置において、しきい値電流の温度特性を向上させる。【解決手段】 n-InxGa1-xAs基板51上に、n-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3Pクラッド層52、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層53、Inx5Ga1-x5As1-y5Py5引張り歪障壁層54、Inx1Ga1-x1As1-y1Py1圧縮歪量子井戸活性層55、Inx5Ga1-x5As1-y5Py5引張り歪障壁層56、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第一光導波層57、p-Inx4Ga1-x4P第一エッチング阻止層58、p-Inx7Ga1-x7As1-y7Py7第二エッチング阻止層59、n-Inx6(Alz6Ga1-z6)1-x6P電流狭窄層60、Inx8Ga1-x8Pキャップ層61を積層する。SiO2膜62を形成し、3μm程度の幅のストライプ上の領域のSiO2膜62を除去する。これをマスクにキャップ層61、電流狭窄層60、溝底面の第二エッチング阻止層59を除去し、第一エッチング阻止層58を露出させる。SiO2膜62を除去した後、p-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層63、p-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3P上部クラッド層64、p-InxGa1-xAsコンタクト層65を形成する。

請求項（抜粋）：

組成比が0<x≦0.3である第一導電型In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As基板上に、少なくとも、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層、組成比が0≦x5≦x+0.49および0<y5≦1であるIn<SB>x5</SB>Ga<SB>1-x5</SB>As<SB>1-y5</SB>P<SB>y5</SB>からなる引張り歪障壁層、組成比がx<x1≦0.5および0≦y1≦0.1であるIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>圧縮歪量子井戸活性層、組成比が0≦x5≦x+0.49および0<y5≦1であるIn<SB>x5</SB>Ga<SB>1-x5</SB>As<SB>1-y5</SB>P<SB>y5</SB>からなる引張り歪障壁層、第二導電型あるいはアンドープの上部第一光導波層、組成比が0≦x4≦1である第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>P第一エッチング阻止層、組成比がx<x7≦1および0≦y7≦0.5である第二導電型In<SB>x7</SB>Ga<SB>1-x7</SB>As<SB>1-y7</SB>P<SB>y7</SB>第二エッチング阻止層、組成比がx6=(x+0.49)±0.01および0≦z6≦1である第一導電型In<SB>x6</SB>(Al<SB>z</SB><SB>6</SB>Ga<SB>1-z6</SB>)<SB>1-x6</SB>P電流狭窄層および組成比がx8=(x+0.49)±0.01である第一導電型または第二導電型In<SB>x8</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-x8</SB>Pキャップ層がこの順に積層されてなる半導体層において、前記キャップ層、前記電流狭窄層および前記第二エッチング阻止層の一部が除去されて溝が形成されており、該溝を覆うように、前記半導体層上に第二導電型上部第二光導波層、第二導電型上部クラッド層および組成比が0<x≦0.3である第二導電型In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asコンタクト層がこの順に積層されてなり、前記圧縮歪量子井戸活性層の圧縮歪量と合計膜厚の積と、前記引張り歪障壁層の引張り歪量と合計膜厚の積の和の絶対値が0.25nm以下であり、前記各層のうち、前記圧縮歪量子井戸活性層、前記2つの引張り歪障壁層および前記エッチング阻止層以外の層は前記基板に格子整合する組成を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (10件)：

5F073AA73 ,  5F073AB23 ,  5F073BA01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073FA25 ,  5F073GA12