特許

J-GLOBAL ID：200903090983604310

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 志保 浩司 ,  加藤 仁史
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324379
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133306
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子等における層間絶縁膜として、誘電特性を改善し、下地に対する密着性等のバランスにも優れた層間絶縁膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 層間絶縁膜の形成方法は、基板上に特定のシリコン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで光および/または光処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、(A)式SinRm(ここで、nは3以上の整数を表し、mはn〜(2n+2)の整数を表しそしてm個のRは、互いに独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲンである。但しm個のRのすべてが水素原子であり且つm=2nであるとき、nは7以上の整数であるものとする。)で表されるポリシラン化合物、ならびに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、およびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物、を含有する塗膜を形成し、次いで熱および/または光処理することを特徴とする、層間絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/316 G ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 Q

Fターム (18件)：

4J038DL011 ,  4J038JA17 ,  4J038JA35 ,  4J038KA02 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PA19 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F058AA03 ,  5F058AA08 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02