特許

J-GLOBAL ID：200903090987953319

半導体結晶ウェハ

発明者： 谷 毅彦 ,  池田 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278300
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086553
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを提供する。【解決手段】 研磨終了直後に、水温15°C以下の超純水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。

請求項（抜粋）：

研磨終了直後に、水温15°C以下の超純水で洗浄されたことを特徴とする半導体結晶ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 M

Fターム (2件)：

5F043BB27 ,  5F043DD16