特許

J-GLOBAL ID：200903090993443500

サセプタ

発明者： 浅野 英利 ,  神本 武彦
出願人/特許権者： 東芝セラミツクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152210
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】重金属汚染、パーティクル付着、エピタキシャル層でのスリップの発生などを少なくできるサセプタを提供する。【構成】単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるサセプタ本体の表面に、SiO2 、SiC、Si3 N4 もしくは多結晶シリコン、またはこれらの積層膜を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるサセプタ本体の表面に、SiO2 、SiC、Si3 N4 もしくは多結晶シリコンの単層膜またはこれらの積層膜を形成したことを特徴とするサセプタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31