特許
J-GLOBAL ID：200903090993456726
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249197
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104428
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】高融点金属の拡散現象に起因するゲート耐圧不良を防止し、信頼性の高いポリサイドゲート形の半導体装置を提供すること。【構成】ポリサイドからなるゲート電極3の多結晶シリコン層を、第1の多結晶シリコン層4及び第2の多結晶シリコン層6の2層構造とし、その層間に高融点金属の拡散現象を抑止するための層間膜5を設けた。【効果】ゲート電極形成後の熱処理の際、シリサイド層と多結晶シリコン層との反応によって生じる高融点金属の拡散現象が層間膜によって抑止されることにより、ゲート絶縁膜が拡散した高融点金属によって汚染されることがなく、それに伴うゲート耐圧不良を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板主面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有する絶縁ゲート形電界効果トランジスタからなる半導体装置であって、前記ゲート電極は第1の多結晶シリコン層と、該第1の多結晶シリコン層の上面に形成された層間膜と、該層間膜上の第2の多結晶シリコン層と、該第2の多結晶シリコン層表面に被着せしめられた高融点金属又は高融点金属とシリコンとの化合物からなるシリサイド層との積層構造をなしており、前記層間膜は前記ゲート絶縁膜より薄く形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/62
