特許

J-GLOBAL ID：200903090996665130

プラズマ処理方法

発明者： 福山 良次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235543
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、アルミニウムを含む膜とTiW、TiN等との多層膜をプラズマ処理する場合に、エッチング処理後に同一エッチング処理室内で酸化性ガスと水素を含むガス及びアルゴンガスを用い、かつ高周波電源により試料にイオンエネルギを付加するプラズマ処理を行ない前記多層膜中に残留するハロゲン成分を低減し腐食の発生を抑制しつつ、反応生成物の除去時間の短縮と安定したエッチング性能を提供することにある。【構成】アルミニウムを含む膜とTiW、TiN等の多層膜のプラズマ処理において、前記多層膜のエッチング処理後に同一エッチング室(6)内で酸化性ガスと水素を含むガス及びアルゴンガスを用い、かつ高周波電源(13)により試料にイオンエネルギを付加するプラズマ処理を行なう。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを含む膜とTiW、TiN等の多層膜のプラズマ処理において、前記多層膜のエッチング処理後に同一エッチング処理室内で酸化性ガスと水素を含むガス及びアルゴンガスを用い、かつ高周波電源により試料にイオンエネルギを付加するプラズマ処理を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 R