特許
J-GLOBAL ID：200903090997958416
2次元イメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283514
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120475
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタのスイッチング特性や光電変換素子の解像度を損なうことなく、またゲート線におけるゲートパルスの伝播遅延を防止して、装置の小形化を図り、高性能の2次元イメージセンサを提供する。【構成】 遮光用配線39をGNDレベルに接続するGND線38を水平方向に配列し、層間絶縁層を介してデータ線36及び光電変換素子32と薄膜トランジスタ33とを接続する接続配線40にGND線38を交差させ、各々の交差部a,bで負荷容量CL′と付加容量CD′とを形成した2次元イメージセンサである。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、受光量に応じて電荷を発生させる複数の光電変換素子と、前記光電変換素子にそれぞれ接続するスイッチング素子とがマトリックス状に2次元に配列され、水平方向に設けられ、前記スイッチング素子を水平方向のライン毎に選択するライン選択用のゲ-ト線と、垂直方向に設けられ、前記光電変換素子に発生した電荷が転送されるデータ線と、前記垂直方向に設けられ、前記光電変換素子にバイアス電圧を印加するバイアス線とを有する2次元イメージセンサにおいて、前記垂直方向に一定電位の配線を配列し、前記一定電位の配線を絶縁層を介して前記データ線に交差させて前記データ線側の容量とすることを特徴とする2次元イメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 1/028
, H04N 5/335
