特許
J-GLOBAL ID：200903090998201726
半導体ウエハメッキ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087274
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ表面に設けた複数の微細溝や微細孔の中に確実にメッキ液を侵入できてメッキでき、しかも各微細溝や微細孔を均一にメッキできる半導体ウエハメッキ装置を提供する。【解決手段】 メッキ液11中で半導体ウエハ100を回転させるとともに半導体ウエハ100をカソードとするウエハ電気接点35を設けたウエハ固定台30と、アノード51を半導体ウエハ100の表面近傍に沿って往復動動作せしめる移動アノード機構50とを備える。また半導体ウエハ100表面に平行に対峙する面に、複数のメッキ液噴射ノズル71を設置する。半導体ウエハ100を回転させながらアノード51を移動し、同時に各メッキ液噴射ノズル71からメッキ液を噴射することで、半導体ウエハ100表面をメッキする。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面に設けた微細溝や微細孔の中にメッキ処理を行なう半導体ウエハメッキ装置において、メッキ液中で半導体ウエハを回転させるとともに該半導体ウエハをカソードとする電気接点を設けたウエハ固定台と、アノードを半導体ウエハの表面近傍に沿って往復動動作又は回転動動作せしめる移動アノード機構とを備え、半導体ウエハを回転させながらアノードを移動することで、半導体ウエハ表面をメッキすることを特徴とする半導体ウエハメッキ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/288
, C25D 7/12
, C25D 17/00
, C25D 21/10 302
H01L 21/288 E
, C25D 7/12
, C25D 17/00 J
, C25D 21/10 302
