太陽電池およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211908
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055611
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】非単結晶半導体層が異常成長することのない凹凸を金属基板の表面に形成して、太陽電池の変換効率を向上させる。【構成】太陽電池10は、金属基板11と、金属基板11の表面に順次積層された、n型半導体層12,i型半導体層13およびp型半導体層14と、p型半導体層14上に形成された透明電極(不図示)と、透明電極上に形成された集電電極(不図示)とからなる。ここで、金属基板11の表面全体には、断面が円弧状の複数の痕跡くぼみ15が形成されており、かつ痕跡くぼみ15の互いに隣接する境界部に形成された突起の先端が曲面となっている。

請求項（抜粋）：

第1の導電型非単結晶半導体層とi型非単結晶半導体層と前記第1の導電型非単結晶半導体層と導電型が異なる第2の導電型非単結晶半導体層とが、金属基板の表面に順次積層されてなる太陽電池において、前記金属基板の表面全体に、断面が円弧状の複数の痕跡くぼみが形成されており、かつ該痕跡くぼみの互いに隣接する境界部に形成された突起の先端が曲面となっていることを特徴とする太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-154183
特開昭64-059965

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