特許

J-GLOBAL ID：200903091004981473

半導体記憶装置

発明者： 高木 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335514
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 動作マージンが向上できると共に、歩留りが向上でき、高速化及び高集積化ができることを目的とする。【構成】 第1のMISFETのドレイン13と第2のMISFETのソース13とが接続され、第1のMISFETのドレイン13あるいは第2のMISFETのソース13と第2のMISFETのゲート8とがpn接合からなるダイオードを介して接続され、第1のMISFETのソース6がビット線に接続され、第1のMISFETのゲ-ト4がワ-ド線に接続され、第2のMISFETのドレイン10が電源線に接続された。

請求項（抜粋）：

第1のMISFETのドレインと第2のMISFETのソースとが接続され、上記第1のMISFETのドレインあるいは上記第2のMISFETのソースと上記第2のMISFETのゲートとがpn接合からなるダイオードを介して接続され、上記第1のMISFETのソースがビット線に接続され、上記第1のMISFETのゲ-トがワ-ド線に接続され、上記第2のMISFETのドレインが電源線に接続されたことを特徴とする半導体記憶装置。