特許

J-GLOBAL ID：200903091013767387

光ディスク

発明者： 菊地 稔 ,  秋元 義浩 ,  斉藤 喜浩 ,  小西 歩 ,  高瀬 史則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344239
公開番号（公開出願番号）：特開平10-181202
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 2.4〜2.8m/sの線速度を有し約780nmの波長のレーザ光を用いた記録再生装置で良好な記録再生特性を有する光ディスクを提供する。【解決手段】 透明基板2上に形成され、膜厚が100〜120nmとされる第1の誘電体層3と、この第1の誘電体層3上にGeSbTe系材料から形成されて結晶状態とアモルファス状態とを可逆的に変化し、膜厚が18〜25nmとされる記録層4と、この記録層4上に形成され、膜厚が15〜45nmとされる第2の誘電体層5と、この第2の誘電体層5上に形成され、膜厚が30〜200nmとされる反射層6とを備える。この光ディスク1は、上記記録層4が、GeSbTe三元状態図の所定の第1の点と、第2の点と、第3の点と、第4の点とにより包囲される領域内の点で示される組成率からなる。

請求項（抜粋）：

透明基板と、この透明基板上に形成され、膜厚が100〜120nmとされる第1の誘電体層と、この第1の誘電体層上にGeSbTe系材料により形成されて、結晶状態とアモルファス状態とを可逆的に変化し、膜厚が18〜25nmとされる記録層と、この記録層上に形成され、膜厚が15〜45nmとされる第2の誘電体層と、この第2の誘電体層上に形成され、膜厚が30〜200nmとされる反射層とを備え、上記記録層は、GeSbTe三元状態図の第1の点(Ge:Sb:Te=39.5:9.1:51.4)と、第2の点(Ge:Sb:Te=33.4:14.4:52.2)と、第3の点(Ge:Sb:Te=33.4:12.5:54.1)と、第4の点(Ge:Sb:Te=37.6:9.1:53.3)とにより包囲される領域内の点で示される組成率からなることを特徴とする光ディスク。

IPC (2件)：

B41M 5/26 ,  G11B 7/24 511

FI (2件)：

B41M 5/26 X ,  G11B 7/24 511